Irfp064n

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Répertoire mondial des transistors. Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques.

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Transistor pour la réparation de vos boitiers de climatisation et de chauffage. The diodes in the HEXFET are for protection purpose only. They cannot be used as charger rectifiers. And you cannot switch BJT with FET, . Мощный N-канальный MOSFET транзистор. I replaced all the mosfets and gate resistors three times and it will come back after a . Zum Vergrößern Bild anklicken!

VDSS = 55V, RDS( on) = 0. Opis: N-tip, 55V, 110A, 200W, Rds: 0. Uds: V, Idss: 1A, Pd: 2W, Rds: 0Ohm Unipolar transistor N-Channel, Idss = 1A, Vds = 5 Pd =. Большой выбор MOSFET, полевых транзисторов. Приятные цены, скидки на импортные .

PÂTE THERMIQUE transistor original attention au contrefaçon vendu sur le web! Descubre la mejor forma de comprar online. Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low . Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 110A Moc: 200W Obudowa: TO2Napięcie bramka-źródło: 20V . Készleten van Kiskereskedelmi ár. Gyártó: International Rectifiers.

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