Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing . Id=-14A) ,alldatasheet, datasheet, . Parameters and Characteristics. Electronic Component Catalog. Datasheet (data sheet) search for . Хорошая цена Киев, Харьков, Днепр, Львов, Одесса Украина.
Купити Україна, Київ, Львів, Одеса, Харків, Дніпро. View datasheets, check stock and pricing , and search for MOSFET. Více informací – viz odpovídající datové listy.
Большой выбор MOSFET, полевых транзисторов. Приятные цены, скидки на импортные . Shop with confidence on eBay! Minimum order quantity: 1. FREE DELIVERY possible on .
Numero di pezzi per confezione:1. R$já com de Desconto no Boleto. Power Dissipation Pd: 79W. Transistor Polarity: P Channel. On Resistance Rds(on): 0. Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 79.
Доставка Новой почтой по всей. Maar de mosfet gaat geleiden en reageert vrijwel niet op het 5v signaal. VDSS = -100V, RDS(on) = 0. Ohm, ID = -14A from International Rectifier datasheet.
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low . Advanced Process Technology. C Operating Temperature. Ich habe ein kleines Problem wo ich nicht weiterkomme. Basis meiner Schaltung ist ein Arduino mit dem ATmega328P-AU auf 5V . Podstawowe parametry to 14A 100V 2Ω P-MOSFET TO220.
Главная Каталог Гироскутеры Запчасти для гироскутеров. HEXFETs利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这益处，结合快速开关速度和坚固耐用 .
Cadsoft EAGLE CAD libraries to reduces the efforts and time put into by our EDE customer in PCB design .